Tấm chip silicon trong dây chuyền sản xuất của TSMC. Ảnh: TSMC.
Bạn đang đọc: TSMC tuyên bố đạt đột phá với công nghệ chip 1 nm
Đột phá này được phát hiện bởi nhóm MIT, với những thành phần được tối ưu bởi TSMC và nâng cấp cải tiến bởi NTU. Thành phần cốt lõi trong đó sử dụng bismuth dạng bán sắt kẽm kim loại để làm điện cực của vật tư hai chiều nhằm mục đích thay thế sửa chữa silicon, được cho phép giảm điện trở và tăng mức độ dòng điện. Hiệu suất nguồn năng lượng nhờ đó sẽ tăng lên mức cao chưa từng có trong ngành bán dẫn .
Các nhà sản xuất chip đã cố gắng nhồi ngày càng nhiều bóng bán dẫn vào những con chip có kích thước ngày càng nhỏ, nhưng đang gần chạm đến giới hạn của công nghệ sử dụng vật liệu silicon. Điều đó thúc đẩy giới khoa học tìm kiếm vật liệu hai chiều để thay thế silicon nhằm cho ra đời những chip trên quy trình 1 nm hoặc nhỏ hơn.
Nhiều bóng bán dẫn hơn trên một chip giúp nhà sản xuất có nhiều lựa chọn hơn để truyền tải các cải tiến lõi, nhằm cải thiện hiệu năng cho những tác vụ hàng đầu như AI và điện toán đám mây, cũng như mở đường cho bảo mật và mã hóa được thực thi bằng phần cứng.
Nhu cầu tăng hiệu suất và tiết kiệm ngân sách và chi phí nguồn năng lượng trong mỗi vi giải quyết và xử lý chưa khi nào hạ nhiệt, nhất là trong kỷ nguyên của đám mây, AI và IoT .Hầu hết những thiết bị tích hợp chip lúc bấy giờ sử dụng công nghệ tiên tiến giải quyết và xử lý 10 nm hoặc 7 nm. Hai đơn vị sản xuất chip lớn nhất quốc tế, TSMC và Samsung, đang cho sinh ra những dòng chip theo tiến trình 5 nm, còn Intel vẫn ở tiến trình 7 nm. TSMC cũng mới chỉ có kế hoạch khởi đầu chuyển sang tiến trình 4 mm vào cuối năm nay trước khi sản xuất hàng loạt trong năm 2022 .
Điệp Anh (Theo Taiwan News)
Source: https://expgg.vn
Category: Thông tin
